掺铈铌酸锂晶体的光电子能谱研究
| Data(s) |
1997
|
|---|---|
| Resumo |
光折变晶体作为一种新型的光学材料在全息存储、信息处理、光计算等领域具有重要的应用前景。在ＬｉＮｂＯ３（简称ＬＮ）中掺杂ＣｅＯ２或Ｆｅ２Ｏ３将能大幅度提高光折变灵敏度，且掺ＣｅＯ２的Ｃｅ：ＬＮ光折变灵敏度优于掺Ｆｅ２Ｏ３的Ｆｅ：ＬＮ。对Ｃｅ：ＬＮ的许多性质人们已作了报导，本文用光电子能谱研究Ｃｅ：ＬＮ晶体中铈的价态，并提出铈离子的价态对光折变的影响。Ｃｅ：ＬＮ晶体采用提拉法生长。所得晶体经退火与极化，为提高Ｃｅ３＋／Ｃｅ４＋的比例，将Ｃｅ：ＬＮ晶片埋在Ｌｉ２ＣＯ３粉中，升温到５００℃，恒温一天，晶片由无色变 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
洪广言;张瑞峰;洪元佳;姚兰芳;刘景和 .掺铈铌酸锂晶体的光电子能谱研究 ,人工晶体学报 ,1997,26 (3-4 ):365-365 |
| Palavras-Chave | #掺铈铌酸锂晶体 #引上法 #光折变晶体 #掺铈浓度 |
| Tipo |
期刊论文 |
