TiAl反常屈服行为的电子理论
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
根据固体与分子经验电子理论(EET)在价电子结构层次系统地研究了TiAl的反常屈服行为(AYB)。由TiAl的价电子结构、键能和三种平面缺陷的能量联系TiAl的AYB的激活能分析了其位错钉扎机制。由于TiAl的反相畴界能量远大于简单层错的，TiAl的AYB是三种主位错交互作用引起的，同时孪生交割钉扎机制也有很大作用。也计算了温度升高直接导致的价电子结构变化，表明TiAl的AYB的本质原因是温度影响键结构导致的强化与弱化综合作用的结果，而短程有序度下降导致的“无序畴”形成起主要强化作用。最后对TiAl的AYB微观本质在不同层次做全面总结，并给出其他金属间化合物温度效应的一般规律. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李文; 孔晓华.TiAl反常屈服行为的电子理论,有色金属,1999,51(4):63-67 |
| Palavras-Chave | #TiAl #反常屈服行为 #价电子结构 #位错钉扎 |
| Tipo |
期刊论文 |
