杂多酸-PDDA多层膜在4-ATP修饰金电极上的电化学性质
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
目的 制备包含杂多酸 (SiMo11VO4 05-和Pr(SiMo7W4 O4 05-) )和聚合物阳离子PDDA的多层膜修饰电极 ,研究其电化学行为。方法 利用电化学生长法制备多层膜修饰电极 ,并用循环伏安法研究其电化学行为。结果 Mo的第三个还原峰随多层膜层数的增加显著增长 ,而另两个还原峰增长缓慢甚至不增长。多层膜修饰电极的峰电位随pH的增加而线性负移。结论 该多层膜的电化学性质不同于以往制备的多层膜 ,有其特殊性 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
黄正国;孙勤枢;程龙;刘柏峰;董绍俊.杂多酸-PDDA多层膜在4-ATP修饰金电极上的电化学性质,济宁医学院学报,2001,24 (1 ):24-26 |
| Palavras-Chave | #电化学生长 #多层膜 #电催化 |
| Tipo |
期刊论文 |
