常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
介绍了以SnO2 为主 ,掺入Al2 O3 ,MgO ,InO ,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制 ,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件 ,需要最佳的制备方法和最好的添加剂 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王岚;何敬文;刘雅言;王秀艳;丁金英;殷文春;曾雄辉.常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究,传感器技术,2001,20 (9):16-17 |
| Palavras-Chave | #氧化锡 #气敏特性 #晶体结构 #吸附机理 |
| Tipo |
期刊论文 |
