恒电位电解法掺稀土对多孔硅光致发光性能的影响

研究了恒电位电解法掺稀土(Er、Nd与Yb)对多孔硅(PS)室温可见区光致发光性能的影响。结果表明:适当高浓度稀土的掺入可以提高PS的发光强度、使PS发光波长蓝移;掺入稀土浓度过高对PS的发光起猝灭作用。掺稀土可以缩短PS发光衰减的平均寿命,而不影响衰减曲线的形状。提出用“表面态辅助的量子限制效应”观点来解释PS和掺稀土多孔硅的光致发光。