3d过渡晶体化学键共价性和光谱位移研究


Autoria(s): 高发明; 张思远
Data(s)

2000

Resumo

本文利用 PV理论通过考虑 3 d电子对晶体化学键的影响,计算了若干 3 d过渡金属化合物的化学键参数并运用于Racah参数和穆斯堡尔谱同质异能位移的研究,计算得到的结果与实验值符合的很好。

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/20203

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/154836

Idioma(s)

中文

Fonte

高发明;张思远.3d过渡晶体化学键共价性和光谱位移研究,无机化学学报,2000,16 (5 ):751-756

Palavras-Chave #3d电子 #化学键 #共价性 #Racah参数 #穆斯堡尔谱同质异能位移
Tipo

期刊论文