杂多酸-聚(二烯丙基二甲基氯化铵)多层膜在4-氨基硫酚修饰金电极上的组装和电化学行为


Autoria(s): 黄正国; 程龙; 孙勤枢; 刘柏峰; 董绍俊
Data(s)

2000

Resumo

通过电化学生长法在 4 氨基硫酚自组装膜修饰金电极上制备了包含杂多酸 (SiMo11VO5-4 0 和聚合物阳离子PDDA的多层膜修饰电极。用循环伏安法研究了该多层膜的电化学行为 ,结果表明Mo的第 3个还原峰随多层膜层数的增加显著增长 ,而另两个还原峰增长缓慢。该修饰电极的峰电位随pH的增加而线性负移 ,表明有氢离子参与杂多酸的氧化还原反应。该修饰电极对BrO-3 和HNO2 的还原反应有良好的催化作用 ,催化电流随着层数的增加而增长 ,并且Mo的第三个还原峰电流与CBrO-3 有良好的线性关系。

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/20025

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/154747

Idioma(s)

中文

Fonte

黄正国;程龙;孙勤枢;刘柏峰;董绍俊.杂多酸-聚(二烯丙基二甲基氯化铵)多层膜在4-氨基硫酚修饰金电极上的组装和电化学行为,分析化学,2000,28 (11 ):1331-1335

Palavras-Chave #电化学生长 #多层膜 #电催化 #杂多酸
Tipo

期刊论文