Y_(1.95-x)Gd_xSiO_5:Eu_(0.05)的真空紫外光谱

利用高温固相法合成了 Ｙ１．９５－ｘＧｄｘＳｉＯ５：Ｅｕ０．０５（ｘ＝０．６ｍｏｌ％）荧光体。结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５相，空间群为Ｂ２／ｂ。真空紫外光谱表明：随着Ｇｄ３＋含量的增加，在１９２ｕｍ附近，出现了Ｇｄ＋的激发峰，且此峰的强度随着Ｇｄ３＋含量的增加而增大；同时位于１５０～１８５ｎｍ之间的基质吸收带的强度也增大；而位于２００～３００ｎｍ之间的Ｅｕ的电行迁移带的强度却随着Ｇｄ３＋含量的增加而降低。