一代树状碳硅烷液晶研究──端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
用发散法合成周边含 12个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5 )端基新的一代树状碳硅烷(D1).并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征.D1为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1相行为:K82N13 3I13 2N67K,D1熔点比M5降低 3 0～ 43℃,D1清亮点比M5增加 9～ 11℃,D1介晶相区比M5加宽 3 9～ 5 4℃,观察到 8条黑刷的树状物的高强向错(S =+ 2),D1清亮焓值略低于通常液晶n i相变清亮焓值,原因是枝化的树状物核心不易完全变形为液晶态的各向异性结构 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张其震;刘建强;殷晓颖;张静智;赵晓光;李光;季怡萍.一代树状碳硅烷液晶研究──端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元,化学学报,2002,60(12):2232-2237 |
| Palavras-Chave | #树状化合物 #液晶 #向列相 #高强向错 #碳硅烷 |
| Tipo |
期刊论文 |
