硫醇自组装膜对金电极上吡咯电化学聚合的影响


Autoria(s): 龚少云; 沈艳飞; 周伟红; 李景虹
Data(s)

2004

Resumo

用电化学聚合法在多种烷基硫醇自组装膜修饰金电极上制备了聚吡咯 .通过计时安培法、循环伏安法和交流阻抗技术研究了自组装膜的烷基链长和端基功能团对吡咯聚合过程和性质的影响 .当自组装膜较完美时 ,聚吡咯沉积在自组装膜表面 ;而当自组装膜有一定缺陷时 ,吡咯在针孔处成核 ,然后继续生长并完全覆盖在自组装膜表面 .研究结果表明 ,烷基硫醇的链越短 ,吡咯聚合越容易 ;疏水的烷基硫醇自组装膜有利于聚吡咯在电极表面的生长.

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/15803

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/151520

Idioma(s)

中文

Fonte

龚少云;沈艳飞;周伟红;李景虹.硫醇自组装膜对金电极上吡咯电化学聚合的影响,高等学校化学学报,2004,25(9):1719-1722

Palavras-Chave #聚吡咯 #电化学聚合 #烷基硫醇 #自组装膜 #烷基链长 #端基功能团
Tipo

期刊论文