偏硅酸镉的自激活发光
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
利用高温固相法合成了一种具有自激活发光行为的CdSiO3基质.对样品进行了X射线衍射分析和光谱分析.光谱分析结果表明,在偏硅酸镉的发射光谱中存在三个自激活发光峰,它们分别位于380,467和560nm处,另外,通过热释光谱技术讨论了偏硅酸镉中的缺陷及相关机理.在热释光谱中有两个明显的热释峰,分别位于448和563K,它们的陷阱深度分别为0 58和0 61eV,表明了在偏硅酸镉中存在着不同的陷阱,这些陷阱的存在导致了偏硅酸镉的自激活发光. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
雷炳富;刘应亮;华瑞年;石春山.偏硅酸镉的自激活发光,分子科学学报,2004,20(1 ):57-59 |
| Palavras-Chave | #偏硅酸镉 #自激活发光 #热释光 |
| Tipo |
期刊论文 |
