基质晶体的真空紫外光谱研究


Autoria(s): 洪广言; 曾小青; 尤洪鹏; 吴雪艳
Data(s)

2004

Resumo

初步总结了基质晶体中吸收带位置的规律 ,即氧化物 (CaO∶Eu ,Y2 O3∶Eu ,≈ 2 0 0nm) >多铝酸盐 (BaMgAl1 0 O1 7∶Eu ,≈ 175nm)≥硅酸盐 (Ca2 SiO4 ∶Tb ,160~ 170nm) >硼酸盐 [(Y ,Gd)BO3∶Eu ,15 0~ 160nm]≥钒酸盐 (YVO4 ∶Eu ,≈ 15 5nm)≈正磷酸盐 [(La,Gd)PO4 ∶Eu ,≈ 15 5nm] >五磷酸盐 (TbP5O1 4∶Eu ,≈ 13 5nm) >二磷酸盐 [Sr3(PO4 ) 2 ∶Eu或K3Tb(PO4 ) 2 ∶Eu ,≈ 12 5nm] >氟化物 (LaF3∶Eu或LiYF4 ∶Eu ,≈ 12 0nm)。基质吸收带的位置主要取决于基质的阴离子、阴离子基团 ,以及基质的组成、结构和键能 ,也受基质中阳离子的影响。这一初步规律将有助于人们寻找优质的新型紫外晶体和新型等离子体平板显示器件用的荧光粉。

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/15071

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/150820

Idioma(s)

中文

Fonte

洪广言;曾小青;尤洪鹏;吴雪艳.基质晶体的真空紫外光谱研究,硅酸盐学报,2004,32(3):233-238

Palavras-Chave #基质晶体 #真空紫外光谱 #基质吸收带 #激发光谱
Tipo

期刊论文