纳米碳管CVD制备工艺中多物理场的耦合模拟分析

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Autoria(s): 赵建国; 刘朗; 郭全贵; 史景利; 翟更太; 宋进仁

Data(s)	12/04/2011
Identificador	http://ir.sxicc.ac.cn/handle/0/3839 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/150435
Idioma(s)	中文
Fonte	赵建国,刘朗,郭全贵,史景利,翟更太,宋进仁.纳米碳管CVD制备工艺中多物理场的耦合模拟分析.见:第八届全国新型炭材料学术研讨会.桂林.2007.
Tipo	会议论文