Cu掺杂的NiO的制备及其超级电容器性能
| Data(s) |
2007
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|---|---|
| Resumo |
采用低热固相反应法合成掺杂Cu的Ni(OH)2,将其在300℃下热处理得到相应的NiO.电化学测试表明∶掺杂量为n(Ni)∶n(Cu)=100∶0.25时,NiO电极的比容量最高,为99-120 F/g,具有良好的充放电性能,而不掺杂的只有83-111 F/g,因此掺杂Cu有利于提高NiO的电化学性能. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
俞燕青;周益明;戴跃华;张黎;吴悦;唐亚文;陆天虹;沈涛.Cu掺杂的NiO的制备及其超级电容器性能,南京师大学报(自然科学版),2007 ,30(1):57-60 |
| Palavras-Chave | #NiO #铜掺杂 #超级电容器 #低热固相反应 |
| Tipo |
期刊论文 |
