电离辐射对Jurkat T细胞凋亡与坏死的影响

目的:研究电离辐射诱导Jurkat T细胞凋亡与细胞坏死的变化规律,探讨电离辐射作用后细胞的死亡模式与机理。方法:采用Annexin V-EGFP和PI双染、流式细胞术(FCM)检测不同剂量(0.075、0.500、1.000、2.000、4.000和6.000Gy)X射线照射后Jurkat T细胞凋亡与细胞坏死的时间-效应关系和剂量-效应关系。结果:时间-效应关系,2.000Gy X射线照射后,与假照组比较,Jurkat细胞凋亡百分率在照射后18h显著增加,至24h始终维持在较高水平(P<0.001);细胞坏死百分率于照射后4h显著增加,12h达峰值,至48h始终维持在较高水平(P<0.001)。剂量-效应关系,0.075Gy X射线照射后18h,Jurkat T细胞凋亡百分率和细胞坏死百分率与假照组相比较未见明显变化(P>0.05)。2.000~6.000Gy较大剂量X射线照射后18h,细胞凋亡百分率和细胞坏死百分率与假照组比较均呈剂量依赖性增加(P<0.001)。结论:2.000Gy以上剂量X射线可以诱导Jurkat T细胞发生凋亡和坏死,细胞坏死比细胞凋亡出现时间更早,持续时间更长。