基于量子限制Stark 效应的Ge/SiGe量子阱电吸收调制器的设计与研制

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Autoria(s): 赵红卫

Contribuinte(s)	成步文
Data(s)	2011
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20747 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/143483
Fonte	赵红卫.基于量子限制Stark 效应的Ge/SiGe量子阱电吸收调制器的设计与研制[硕士].北京.中国科学院研究生院.2011
Palavras-Chave	#光电子学
Tipo	学位论文