全耗尽SOI器件及电路辐射加固技术研究

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Autoria(s): 李振涛

Contribuinte(s)	于芳
Data(s)	2011
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20732 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/143469
Fonte	李振涛.全耗尽SOI器件及电路辐射加固技术研究[硕士].北京.中国科学院研究生院.2011
Palavras-Chave	#微电子学
Tipo	学位论文