4H-SiC 大功率肖特基二极管器件设计及工艺研究

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Autoria(s): 吴海雷

Contribuinte(s)	孙国胜
Data(s)	2011
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20713 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/143436
Fonte	吴海雷.4H-SiC 大功率肖特基二极管器件设计及工艺研究[硕士].北京.中国科学院研究生院.2011
Palavras-Chave	#半导体器件
Tipo	学位论文