4H-SiC 大功率肖特基二极管器件设计及工艺研究


Autoria(s): 吴海雷
Contribuinte(s)

孙国胜

Data(s)

2011

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20713

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/143436

Fonte

吴海雷.4H-SiC 大功率肖特基二极管器件设计及工艺研究[硕士].北京.中国科学院研究生院.2011

Palavras-Chave #半导体器件
Tipo

学位论文