宽禁带半导体碳化硅(SiC)生长工艺及多片大面积外延技术的研究

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Autoria(s): 闫果果

Contribuinte(s)	孙国胜
Data(s)	2011
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20712 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/143435
Fonte	闫果果.宽禁带半导体碳化硅(SiC)生长工艺及多片大面积外延技术的研究[硕士].北京.中国科学院研究生院.2011
Palavras-Chave	#半导体材料
Tipo	学位论文