非极性A-GaN薄膜的MOCVD生长及物性研究

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Autoria(s): 刘建明

Contribuinte(s)	刘祥林 刘祥林
Data(s)	2011
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20701 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/143416
Fonte	刘建明.非极性A-GaN薄膜的MOCVD生长及物性研究[博士].北京.中国科学院研究生院.2011
Palavras-Chave	#半导体材料
Tipo	学位论文