TI／AL系统离子束混合研究
| Contribuinte(s) |
吴美珍 |
|---|---|
| Data(s) |
1987
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| Resumo |
本文用100KW Ar~2离子在低温下对Tl/AL薄膜进行了混合束研究。实验试样是在单晶硅上蒸镀约5000A的铝膜，相继再蒸上所需不同厚度的钛膜。用2.0Hev α粒子对注入前后的样品进行了RBS分析。经过仔细的实验数据处理，结果发现：T1／AL界面原子混合量σ~2跟注入剂量φ成线性关系，界面的氧化层对T1／AL界面区原子间的相互混合有一定的影响；在相同注入条件下，界面原子混合σ~2随钛膜厚度的变化成一定的规律。另外，还就Ti/AL离子事混合进行了计算机Nonte Carto模拟计算，并与实验结果进行了比较和讨论 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
寿焕根.TI／AL系统离子束混合研究.[硕士学位论文].中科院近代物理研究所.1987 |
| Tipo |
学位论文 |
