基于重离子径迹模板法的纳米线制备与性能研究

本文从纳米材料概念及特性分析入手，介绍了当前纳米线制备方法及其应用，重点对基于重离子径迹模板法的纳米线制备与性能研究进行阐述，本文具体研究内容包括以下几个方面：利用电化学沉积法在重离子径迹模板中制备出直径从30到500 nm、包括单晶和多晶结构的银纳米线阵列，实验结果表明所制备的银单晶纳米线沿(111)面择优取向生长；直径为100 nm的银纳米线在温度低于50 K时，电阻急骤减小。不同直径金纳米线利用电化学沉积法在重离子径迹模板中成功制备，利用XRD测得所制备金纳米线沿(200)面择优取向生长。对金纳米线阵列紫外吸收光谱研究表明，吸收光谱峰位随直径的增加向长波方向移动，同时半高宽增加。当入射光与金纳米线有一定夹角时，其吸收峰随着夹角的增加向短波方向移动。另外，金纳米线在空气中的氧化现象通过其紫外吸收光谱被间接观察到。利用电化学共沉积技术在重离子径迹模板中成功制备出InSb半导体纳米线，通过实验证明，InSb半导体纳米线共沉积电位位于-1.3-1.4 V之间。通过对Cu/Co多层纳米线研究发现，所制备出的Cu/Co多层纳米线具有好的柔韧性，不容易在层间发生断裂