低速高电荷态重离子辐照的GaN晶体表面X射线光电子能谱研究；X-ray photoelectron spectroscopy study on GaN crystal irradiated by slow highly charged ions
| Data(s) |
15/07/2010
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| Resumo |
利用低速高电荷态Xeq+和Pbq+离子对在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体膜样品进行辐照,并利用X射线光电子能谱(XPS)对样品表面化学组成和元素化合态进行了分析.结果表明,高电荷态离子对样品表面有显著的刻蚀作用;经高电荷态离子辐照的GaN样品表面氮元素贫乏而镓元素富集;随着入射离子剂量和所携带电荷数的增大,Ga—Ga键相对含量增大;辐照后,GaN样品中Ga—Ga键对应的Ga3d5/2电子的束缚能偏小,晶格损伤使内层轨道电子束缚能向低端方向偏移. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
韩录会;张崇宏;张丽卿;杨义涛;宋银;孙友梅;.低速高电荷态重离子辐照的GaN晶体表面X射线光电子能谱研究；X-ray photoelectron spectroscopy study on GaN crystal irradiated by slow highly charged ions,物理学报, 2010-07-15,59( 07):4584-4590 |
| Palavras-Chave | #GaN晶体 #高电荷态重离子 #X射线光电子能谱 |
| Tipo |
期刊论文 |
