氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究；Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC
| Data(s) |
15/06/2010
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| Resumo |
4H-SiC晶体经能量为100keV,剂量为3×1016cm-2的氦离子高温(500K)注入后,再在773—1273K温度范围内进行了退火处理,最后使用纳米压痕仪测量了样品注入面的硬度.测试结果表明,在500—1273K温度范围内样品的硬度随退火温度升高呈现先增大后减小再增大的趋势,其中773K退火样品的硬度增大明显.分析认为,退火样品的硬度变化是由退火过程中缺陷复合与氦泡生长导致样品内部的Si—C键密度、键长和键角改变引起的. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张勇;张崇宏;周丽宏;李炳生;杨义涛;.氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究；Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC,物理学报, 2010-06-15,59( 06):4130-4135 |
| Palavras-Chave | #ELECTRON-SPIN-RESONANCE #SILICON-CARBIDE #MECHANICAL-PROPERTIES #CAVITIES #RELEASE |
| Tipo |
期刊论文 |
