高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究
| Data(s) |
2008
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| Resumo |
不同电荷态低速离子(Arq+，Pbq+)轰击Si(110)晶面，测量不同入射角情况下的次级粒子的产额. 通过比较溅射产额与入射角的关系，证实沟道效应的存在. 高电荷态离子与Si相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的. 在小角入射条件下，高电荷态离子能够增大溅射产额. 当高电荷态离子以40°—50°入射时，存在势能越高溅射产额越大的势能效应. 国家自然科学基金(批准号：10475035)资助的课题. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
Peng, HB (Peng Hai-Bo); Wang, TS (Wang Tie-Shan); Han, YC (Han Yun-Cheng); Ding, DJ (Ding Da-Jie); Xu, H (Xu He); Cheng, R (Cheng Rui); Zhao, YT (Zhao Yong-Tao); Wang, YY (Wang Yu-Yu) .高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究, 物理学报 ,2008,57 (4 ):2161-2164 |
| Palavras-Chave | #highly charged ions #sputtering #channeling effect |
| Tipo |
期刊论文 |
