高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究
| Data(s) |
2009
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| Resumo |
用不同电荷态的126Xeq+离子（9≤q≤30）在室温下轰击GaN晶体表面，经原子力显微镜分析表明，当q>18，辐照区域由隆起转为显著的刻蚀.被轰击后的GaN晶体表面形貌主要取决于入射离子的电荷态.同时，样品表面形貌还与入射离子的剂量和入射角有关；在实验参数范围，与入射离子的初动能没有明显关系（180 keV≤Ek≤600 keV）.当入射离子的电荷态q=18，与样品表面法线成60°角倾斜入射和垂直表面入射时，样品的表面几乎没有变化，只是倾斜入射后有很微小的隆起；当q＜18时，样品表面膨胀隆起，粗糙度增强，倾斜入射时表面隆起比垂直入射时更明显，而且都有清晰的峰状分界区；当q＞18时，样品表面被蚀刻呈凹陷状，有明显的齿状刻痕，且侵蚀深度与离子剂量近似呈线性关系，倾斜入射时的刻蚀深度大于垂直入射时的刻蚀深度. 国家自然科学基金（批准号：10575124）、中国科学院“西部之光”人才培养计划、中国科学院近代物理研究所所长基金资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
Zhang, LQ (Zhang Li-Qing),Zhang, CH (Zhang Chong-Hong),Yang, YT (Yang Yi-Tao),等. 高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究[J]. 物理学报,2009,58(8):5578-5584. |
| Palavras-Chave | #高电荷态离子 #GaN晶体 #原子力显微镜 #表面形貌 |
| Tipo |
期刊论文 |
