通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究
Data(s) |
20/01/2000
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Resumo |
重点研讨通过改变探测器偏压,进而改变探测器的PN 结(有效探测灵敏区)厚度,实现对带电粒子的种类和能量鉴别的实验方法及其实际应用。实验测量了3MeV质子和6.05MeV α粒子在金硅面垒探测器Si(Au)中的能损与探测器偏压关系曲线。同时利用刻度过的探测器鉴别氘离子束轰击氘钛(TiDX)靶发射的带电粒子能谱。在很强的本底情况下通过调节探测器偏压(灵敏区厚度)实现了对能量相近的不同带电粒子的有效鉴别和测量。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
王铁山,王志国,高东风.通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究, 核电子学与探测技术, 2000-01-20, 2000( 01):17-21 |
Palavras-Chave | #金硅面垒探测器Si(Au) #带电粒子鉴别 #D-D反应 #D-T反应 |
Tipo |
期刊论文 |