通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究


Autoria(s): 王铁山,王志国,高东风
Data(s)

20/01/2000

Resumo

重点研讨通过改变探测器偏压,进而改变探测器的PN 结(有效探测灵敏区)厚度,实现对带电粒子的种类和能量鉴别的实验方法及其实际应用。实验测量了3MeV质子和6.05MeV α粒子在金硅面垒探测器Si(Au)中的能损与探测器偏压关系曲线。同时利用刻度过的探测器鉴别氘离子束轰击氘钛(TiDX)靶发射的带电粒子能谱。在很强的本底情况下通过调节探测器偏压(灵敏区厚度)实现了对能量相近的不同带电粒子的有效鉴别和测量。

Identificador

http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/5217

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/132040

Idioma(s)

中文

Fonte

王铁山,王志国,高东风.通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究, 核电子学与探测技术, 2000-01-20, 2000( 01):17-21

Palavras-Chave #金硅面垒探测器Si(Au) #带电粒子鉴别 #D-D反应 #D-T反应
Tipo

期刊论文