C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性
| Data(s) |
30/08/2000
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| Resumo |
利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%~1.0%的Si1?xCx合金, 研究了不同注入剂量下Si1?xCx合金的形成及其在退火过程中的稳定性. 如果注入剂量小于引起Si非晶化的剂量, 850℃退火后, 注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇, 难于形成Si1?xCx合金. 随着注入C离子剂量的增大, 注入产生的损伤增强, 容易形成Si1?xCx合金, 但注入的剂量增大到一定程度, Si1?xCx合金的应变将趋于饱和, 即只有部分C原子进入晶格位置形成合金相. Si1?xCx合金一旦形成, 在950℃仍比较稳定, 而温度高于1 000℃, 合金的应力将部分释放. 随着合金中C原子浓度的升高, 合金的稳定性变差. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王引书,李晋闽,王玉田,孙国胜,林兰英,金运范.C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性, 科学通报, 2000-08-30, 2000( 16):1709-1713 |
| Palavras-Chave | #离子注入 #Si_(1-x)C_x合金 #Si_(1-x)C_x合金的稳定性 |
| Tipo |
期刊论文 |
