C-N化合物合成研究
| Data(s) |
30/09/2000
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|---|---|
| Resumo |
用能量 50 - 1 1 0 ke V的 N离子在低于 80°C温度下注入 CVD法合成的金刚石薄膜后 ,分别用 X射线光电子谱、红外谱和拉曼谱检测注入后的薄膜中是否形成了 C- N化合物 .结果表明注入后的薄膜中存在有 3种化学键态的 C- N化合物 ,且低能离子注入更有利于 C- N化合物的形成 .由于在注入区内形成了大量的 C- N单键 ,这有利于β- C3N4 的合成 .对 C- N化合物薄膜的场发射特性也做了研究 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
谢二庆,金运范,王志光,贺德衍.C-N化合物合成研究, 原子核物理评论, 2000-09-30, 2000( 03):171-174 |
| Palavras-Chave | #离子注入 #金刚石薄膜 #碳氮化合物 |
| Tipo |
期刊论文 |
