分子镀法制备厚镅(~(241,243)Am)靶


Autoria(s): 秦芝,郭俊盛,甘再国
Data(s)

20/11/2000

Resumo

研究了异丙醇 -硝酸介质中镅 ( 2 4 1,2 4 3Am)的分子镀过程和实验条件。在保持电压为 550 V、电流密度为 4~ 6m A/ cm2 的条件下电镀 1h,通过一次分子镀过程就能在薄铝箔 (厚度 7μm)衬底材料上制备出厚度为 0 .6~ 1.2 mg/ cm2的 2 4 1,2 4 3Am靶。

Identificador

http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/4985

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/131805

Idioma(s)

中文

Fonte

秦芝,郭俊盛,甘再国.分子镀法制备厚镅(~(241,243)Am)靶, 同位素, 2000-11-20, 2000( 04):209-214

Palavras-Chave #分子镀 #厚镅靶 #~(241 #243)Am
Tipo

期刊论文