半导体探测器的厚度确定及CsI(Tl)的刻度
| Data(s) |
10/06/2001
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|---|---|
| Resumo |
根据核反应过程中发射带电粒子在硅半导体中的最大能量沉积 ,利用带电粒子在硅半导体中的阻止本领曲线 ,同时实现半导体探测器的厚度确定及与之组合的CsI(Tl)的刻度 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
魏志勇,段利敏,吴和宇,靳根明,李祖玉,张保国,王宏伟,肖志刚,柳永英,王素芳,诸永泰,胡荣江.半导体探测器的厚度确定及CsI(Tl)的刻度, 核技术, 2001-06-10, 2001( 06):468-472 |
| Palavras-Chave | #能量刻度 #CsI(Tl) #半导体探测器 |
| Tipo |
期刊论文 |
