C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征
Data(s) |
08/08/2001
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Resumo |
利用离子注入和高温退火的方法在 Si中生长了 C含量为 0 .6 %— 1.0 %的 Si1 - x Cx 合金 ,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入 C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响 ,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因 .如果注入的 C离子剂量小于引起 Si非晶化的剂量 ,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与 C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成 Si1 - x Cx 合金 ,而预先利用 Si离子注入引进损伤有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 ;但如果注入的C离子可以引起 Si的非晶化 ,预先注入产生的损伤缺陷不利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .与慢速退火工艺相比 ,快速热退火工艺有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .离子注入的 C原子在空间分布不均匀 ,退火过程中将形成应变不同的 Si1 - x-Cx 合金区域 . |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
王引书,李晋闽,王玉田,王衍斌,林兰英.C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征, 半导体学报, 2001-08-08, 2001( 08):979-984 |
Palavras-Chave | #Si1-xCx合金 #离子注入 #损伤缺陷 #应变分布 |
Tipo |
期刊论文 |