3MeV硅离子辐照聚苯乙烯引起的化学改性


Autoria(s): 唐玉华,朱智勇,孙友梅,李长林,金运范
Data(s)

10/01/2002

Resumo

在室温下用 3MeV硅离子对聚苯乙烯薄膜进行了辐照注入 ,并对辐照后的样品进行了傅立叶转换红外反射光谱和紫外 /可见透射光谱的测量。测量结果显示 ,材料经 3× 10 13 ions/cm2 以上剂量辐照后 (即吸收剂量在约 4 5MGy以上时 )迅速降解 ,包括苯环在内的大部分特征官能团遭到破坏 ;与此同时 ,材料的光能隙随着剂量的增大逐渐减小 ,在辐照剂量达到 1× 10 14 ions/cm2 和 3× 10 14 ions/cm2 时 ,材料的光能隙分别由原来的 2 .7eV减小到 1.85eV和 1.2eV。

Identificador

http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/4579

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/131391

Idioma(s)

中文

Fonte

唐玉华,朱智勇,孙友梅,李长林,金运范.3MeV硅离子辐照聚苯乙烯引起的化学改性, 核技术, 2002-01-10, 2002( 01):15-19

Palavras-Chave #聚苯乙烯 #硅离子辐照 #光吸收 #化学改性
Tipo

期刊论文