金硅面垒~8Be探测器的研制

介绍了金硅面垒8Be探测器的制造工艺和测试结果。有效面积157~570mm2,厚度为280μm,工作电压100~150V时,其漏电流0.04~0.12μA。对于8.78MeV α粒子的能量分辨率为0.54%~0.80%,用该探测器通过对8Be带电粒子的角关联测量确定高激发能级的宇称及自旋。