硅多条探测器的研制和初步应用


Autoria(s): 谭继廉,靳根明,王宏伟,段利敏,袁小华,王小兵,李松林,卢子伟,徐瑚珊,宁宝俊,田大宇,王玮,张录
Data(s)

21/04/2005

Resumo

描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果.这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm.P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间距为140μm.当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA.对239Puα粒子的能量分辨为0.5%—09%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%—8%.用于72MeV/u的C束离子测量,得到能量分辨为027%.

Identificador

http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/3547

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/129927

Idioma(s)

中文

Fonte

谭继廉,靳根明,王宏伟,段利敏,袁小华,王小兵,李松林,卢子伟,徐瑚珊,宁宝俊,田大宇,王玮,张录.硅多条探测器的研制和初步应用, 高能物理与核物理, 2005-04-21, 2005( 04):383-386

Palavras-Chave #硅多条探测器 #微电子工艺 #电特性 #探测特性 #漏电流 #能量分辨率
Tipo

期刊论文