高能Pb离子辐照注碳SiO_2的红外谱研究
| Data(s) |
21/08/2005
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|---|---|
| Resumo |
室温下,先用120keV的C离子注入二氧化硅薄膜样品至剂量2.0×1017,5.0×1017或8.6×1017ions/cm2,再用950MeV的Pb离子分别辐照至剂量5.0×1011,1.0×1012或3.8×1012ions/cm2,然后测量样品的傅里叶变换红外(FTIR)光谱.通过分析测量得到的傅里叶变换红外谱,发现Pb离子辐照在注碳SiO2样品中可引起大量的Si—C和Si(C)—O—C等化学键的形成,大剂量Pb离子辐照可在大剂量注碳的SiO2中产生分子CO2.大量的Si—C键的存在和分子CO2的形成,预示着高能Pb离子辐照在注碳SiO2样品中有可能形成了纳米Si团簇和/或SiC晶粒. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵志明,王志光,A.Benyagoub,M.Toulemonde,F.Levesque,宋银,金运范,孙友梅.高能Pb离子辐照注碳SiO_2的红外谱研究, 高能物理与核物理, 2005-08-21, 2005( 08):824-829 |
| Palavras-Chave | #低能离子注入 #高能重离子辐照 #原子混合 #FTIR谱 #相变 #成键 |
| Tipo |
期刊论文 |
