碳化硅中惰性气体离子辐照引起缺陷的研究


Autoria(s): 张崇宏
Data(s)

20/06/2006

Resumo

综述了有关碳化硅材料中惰性气体离子引起辐照缺陷研究的进展。包括借助多种方法对氦离子辐照的碳化硅中氦泡集团形成的剂量阈值的实验研究,基于过冷固体假设对氦泡阈值的理论解释,不同剂量氦泡的两种形态及其机理的研究,以及重惰性气体离子(Ne,Xe)辐照下缺陷演化的特点。

Identificador

http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/3101

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/129270

Idioma(s)

中文

Fonte

张崇宏;.碳化硅中惰性气体离子辐照引起缺陷的研究, 原子核物理评论, 2006-06-20, 2006( 02):185-188

Palavras-Chave #碳化硅 #辐照损伤 #缺陷 #氦泡
Tipo

期刊论文