射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性
| Data(s) |
15/04/2007
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| Resumo |
用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
朋兴平;王志光;宋银;季涛;臧航;杨映虎;金运范;.射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性, 中国科学(G辑:物理学 力学 天文学), 2007-04-15, 2007( 02):218-222 |
| Palavras-Chave | #ZnO薄膜 #X射线衍射谱 #光致发光谱 #衬底温度 #射频反应溅射 |
| Tipo |
期刊论文 |
