高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究
| Data(s) |
15/04/2008
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| Resumo |
不同电荷态低速离子(Arq+,Pbq+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额.通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟道效应的存在.高电荷态离子与Si相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的.在小角入射条件下,高电荷态离子能够增大溅射产额.当高电荷态离子以40°—50°入射时,存在势能越高溅射产额越大的势能效应. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
彭海波;王铁山;韩运成;丁大杰;徐鹤;程锐;赵永涛;王瑜玉;.高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究, 物理学报, 2008-04-15, 2008( 04):2161-2164 |
| Palavras-Chave | #高电荷态离子 #溅射 #沟道效应 |
| Tipo |
期刊论文 |
