He注入单晶Si表面形貌的变化研究

沿Si的(100)面注入He离子,能量为30keV、剂量为5×1016ions/cm2。注入后样品切成几块,在真空炉中分别做退火处理,退火温度从600℃到1000℃,退火时间均为30min。利用原子力显微镜研究了各个样品表面形貌的演化。发现样品表面形貌与退火温度相关联。假设在气泡中He原子与空位的比值很高,导致样品内部存在高压的He泡,从而使样品表面形貌发生变化。探讨了在Si中He泡随退火温度的演化和He原子在材料中的释放机制及其对表面的影响。