重离子径迹模板法电化学制备聚吡咯纳米线

采用蚀刻的聚碳酸酯(PC)离子径迹膜为模板,结合电化学沉积技术,制备出了直径为100~320 nm、长度从几μm到30μm的聚吡咯纳米线。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)对纳米线的形貌进行了表征。结果表明,所制备出的聚吡咯纳米线均呈圆柱形,且表面光滑、粗细一致。聚吡咯纳米线的紫外-可见(UV-Vis)光谱分析表明,随着聚吡咯纳米线直径增加,聚吡咯纳米线吸收峰展宽,且峰位向长波方向移动。