类钴氙离子入射Ni表面激发的红外光谱线和X射线谱
| Data(s) |
15/10/2009
|
|---|---|
| Resumo |
当高电荷态类钴氙离子(cobaltlike-Xe,Xe27+)入射金属Ni表面过程中,共振电子俘获释放势能完成中性化,形成多激发态的Xe原子,其外壳层电子退激辐射红外光谱线.入射离子特殊的势能释放方式、离子动能和金属表面引起离子增益的能量在极短的时间(飞秒量级)沉积靶平方纳米尺度的空间范围,引起靶表面原子激发和电离,形成复杂组态之间的跃迁,特别是偶极禁戒跃迁(电四极跃迁、磁偶极跃)和X射线发射.单离子X射线产额随入射离子的动能增加而增加. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张小安;杨治虎;王党朝;梅策香;牛超英;王伟;戴斌;肖国青;.类钴氙离子入射Ni表面激发的红外光谱线和X射线谱, 物理学报, 2009-10-15, 2009( 10):6920-6925 |
| Palavras-Chave | #高电荷态离子 #红外光谱线 #X射线 #禁戒跃迁 |
| Tipo |
期刊论文 |
