疏水增透SiO2膜的制备及其性能研究


Autoria(s): 张晔; 吴东; 孙予罕; 彭少逸
Data(s)

2002

Identificador

http://ir.sxicc.ac.cn/handle/0/1024

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/121802

Idioma(s)

中文

Fonte

张晔,吴东,孙予罕,彭少逸.疏水增透SiO2膜的制备及其性能研究.物理化学学报,2002,18(4):355-358

Tipo

期刊论文