MoSi2硅化物的形成及电子结构的研究
| Data(s) |
1989
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|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:17:11导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:17:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6436.pdf: 178042 bytes, checksum: 2e21b481bad0c85073eb8c2284dbb19c (MD5) Previous issue date: 1989 中国科学技术大学;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李宝骐;季明荣;吴建新;许振嘉;阎江.MoSi2硅化物的形成及电子结构的研究,半导体学报,1989,10(3):179 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
