LEC GaAs中缺陷的光致发光研究
| Data(s) |
1989
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:17:08导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:17:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6430.pdf: 1895779 bytes, checksum: dd834f49685ad62fbbf4b9fcbd613c28 (MD5) Previous issue date: 1989 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈廷杰;吴灵犀;王占国;何宏家;林兰英.LEC GaAs中缺陷的光致发光研究,半导体学报,1989,10(12):917 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
