一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器
Data(s) |
1989
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Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:17:02导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:17:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6420.pdf: 1720220 bytes, checksum: ed9f31929c1e35e1f00b355cadab53c6 (MD5) Previous issue date: 1989 中科院半导体所;康乃尔大学;麦道公司光电子中心 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
朱龙德;Feak G A B;Ballantyne J M;Wagner D K;Tihanyi P L.一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器,半导体学报,1989,10(10):799 |
Palavras-Chave | #半导体器件 |
Tipo |
期刊论文 |