退火气氛中痕量氧在反应形成pt硅化物中的作用
| Data(s) |
1989
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|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:17:00导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:17:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6413.pdf: 1385740 bytes, checksum: befd47d85d35c50baaff155da981048c (MD5) Previous issue date: 1989 北京大学;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李映雪;武国英;张国炳;王佑祥.退火气氛中痕量氧在反应形成pt硅化物中的作用,半导体学报,1989,10(8):615 |
| Palavras-Chave | #半导体化学 |
| Tipo |
期刊论文 |
