采用离子注入方法调整和控制氢离子敏场效应管(PH-ISFET)阈值电压
Data(s) |
1989
|
---|---|
Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:16:53导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6397.pdf: 139522 bytes, checksum: 0cde00b86681acf7014bc4ceae4c5e83 (MD5) Previous issue date: 1989 中科院半导体所 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
汪正孝.采用离子注入方法调整和控制氢离子敏场效应管(PH-ISFET)阈值电压,半导体学报,1989,10(1):62 |
Palavras-Chave | #半导体物理 |
Tipo |
期刊论文 |