利用静止畴原理制作的高灵敏度新型GaAs Hall器件

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Autoria(s): 郑一阳

Data(s)	1989
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20561 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104918
Idioma(s)	中文
Fonte	郑一阳.利用静止畴原理制作的高灵敏度新型GaAs Hall器件,半导体学报,1989,10(1):67
Palavras-Chave	#半导体器件
Tipo	期刊论文