In（0.25） Ga（0.75） As/GaAs应变异质结的离子沟道分析

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Autoria(s): 殷士端; 吴春武; 张敬平; 刘家瑞; 朱沛然

Data(s)	1989
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20551 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104913
Idioma(s)	中文
Fonte	殷士端;吴春武;张敬平;刘家瑞;朱沛然.In（0.25） Ga（0.75） As/GaAs应变异质结的离子沟道分析,半导体学报,1989,10(1):12
Palavras-Chave	#半导体物理
Tipo	期刊论文